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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：12 V
Id-连续直流电流：11.5 A
Rds上漏源导通电阻：14毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：8 V
Qg-血浆甲醛：38 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7420TRPBF SP001571942
单位重量：540毫克
特征
•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•无铅
描述
这些来自国际整流器公司（International Rectifier）的P沟道
HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术来实现极低的每
硅面积导通电阻。 这一好处为设计人员提供了一种非常高效
的设备，可用于电池和负载管理应用。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和多
芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，
可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。
该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain- Source Voltage |
-12 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-11.5 |
A |
|
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-9.2 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-46 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation Gl |
2.5 |
w |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation Gl |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
20 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±8 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to +150 |
°C |